Конфигурация : | p-n-p |
Мощность : | рассеиваемая: 24 Вт |
Частота : | коэффициента передачи тока предельная: не менее 0,1 МГц |
Напряжение : | пробивное коллектор-база: 35 В |
Напряжение : | пробивное эмиттер-база: 15 В |
Максимальный ток : | коллектора: 7,5 А |
Ток : | коллектора обратный: не более 1,5 мА |
Коэффициент : | передачи тока статический: более 10 |
Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом |
Транзисторы П216Б германиевые сплавные структуры p-n-p
универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах,
выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях
постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5
г.
Смотрите справочные данные
<== ТУТ (p216_p217.pdf) |
|