|
| Емкость : | общая: не более 0,12 пФ |
|---|
| Сопротивление : | потерь прямое: не более 1,5 Ом |
|---|
| Частота : | критическая: не менее 300 ГГц |
|---|
| Заряд : | накопленный: не более 0,3 нКл |
|---|
| Напряжение : | пробивное: не менее 50 В |
|---|
| Напряжение : | прямое: не более 0,9 В |
|---|
| Индуктивность : | 0,16 нГн |
|---|
| Время : | обратного восстановления: не более 0,2 нс |
|---|
| Напряжение : | постоянное обратное: не более 30 В |
|---|
| Напряжение : | импульсное обратное: не более 40 В |
|---|
| Ток : | постоянный прямой: не более 20 мА |
|---|
| Мощность : | импульсная рассеиваемая: не более 400 мВт |
|---|
| Диапазон рабочих частот : | 0,3-18 ГГц |
|---|
| Рабочая температура : | -60...+125°С |
|---|
| Минимальная наработка : | 30000 ч |
|---|
| Срок сохраняемости : | 25 лет |
|---|
| Вес : | 0,03 г |
|---|
|
Диоды 2А547В-3 кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа
p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах,
фазовращателях, модуляторах, аттенюаторах сантиметрового и
дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту
приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов,
инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении без кристаллодержателя с
балочными выводами, диоды 2А547Д-3,2А547Е-3 поставляются во
фрагментах (блоках) для последующей резки их на отдельные диоды у
потребителя.
Тип диода приводится на этикетке.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2a547.pdf) |
|
