|
| Напряжение : | прямое, не более 0,3 В |
|---|
| Сопротивление : | потерь прямое, не более 3,3 Ом |
|---|
| Время : | прямого восстановления: не более 6 мкс |
|---|
| Время : | обратного восстановления: не более 60 мкс |
|---|
| Емкость : | структуры: 0,365...0,435 пФ |
|---|
| Мощность : | непрерывная рассеиваемая: 1 кВт |
|---|
| Мощность : | импульсная рассеиваемая: 1 кВт |
|---|
| Температура : | перехода: +125°С |
|---|
| Температура : | окружающей среды: -60...+125°С |
|---|
| Минимальная наработка : | 1000 ч |
|---|
| Срок службы : | 12 лет |
|---|
Диоды 2А503А кремниевые, сплавные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа
p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах
модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия
влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы,
пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами.
Тип диода приводится на индивидуальной и групповой таре.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2a503.pdf) |
|
