Частота : | критическая: не менее 160 ГГц |
Сопротивление : | потерь прямое: не более 0,5 Ом |
Заряд : | накопленный: не более 400 нКл |
Время : | обратного восстановления: не более 1,5 мкс |
Напряжение : | пробивное: не менее 600 В |
Напряжение : | постоянное обратное: не более 100 В |
Ток : | постоянный прямой: не более 1000 мА |
Мощность : | непрерывная рассеиваемая: не менее 1 Вт |
Рабочая температура : | -60...+125°С |
Минимальная наработка : | 25000 ч |
Срок сохраняемости : | 25 лет |
Вес : | 0,15 г |
|
Диоды 2А524А-4 кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа
p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах
дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн в составе
гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых
грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на
кристаллодержателе с защитным покрытием.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Маркируются: 2А524А-4 - одной красной точкой у положительного
электрода; 2А524Б-4 - двумя красными точками.
Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2a524.pdf) |
|